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abbr. 浮动栅雪崩注入型金属氧化物半导体（Floating–gateAvalancheinjectionMOS）

单词分析

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FAMOS

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  • 单词拼写：FAMOS
  • 核心含义：abbr. 浮动栅雪崩注入型金属氧化物半导体（Floating–gateAvalancheinjectionMOS）

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更新时间：2026-03-14 18:37:59